⁠⁠⁠⁠⁠⁠⁠

웨이브로드가 차세대 전력반도체 소재인 질화갈륨(GaN) 에피택시 웨이퍼 국산화에 다가서고 있다.

16일 업계에 따르면 웨이브로드는 국내외 5개 고객사와 신호증폭(RF)용 GaN 에피택시 웨이퍼 품질 평가를 진행 중이다. 이중 국내 방산 대기업도 웨이브로드 6인치 에피 웨이퍼로 만든 GaN 전력반도체를 최종 테스트하고 있는 것으로 알려졌다.

GaN 에피택시 웨이퍼는 실리콘(Si)과 실리콘카바이드(SiC)와 같은 이종 기판 위에 GaN 결정층을 금속유기화학기상증착(MOCVD) 장비로 성장시켜 만든다. 고출력, 고효율, 고주파 특성을 지닌 GaN 전력반도체를 만드는데 필요한 소재다.

웨이브로드는 에피택시 웨이퍼를 제조해 반도체 위탁생산(파운드리) 업체에 납품하는 회사로, 파운드리 업체가 최종 고객사 평가를 마쳐야 공급이 가능하다.

이 사안에 정통한 관계자는 “최종 고객사 품질 평가는 올해 말 또는 내년 초 끝날 전망으로 고객사 규모가 큰 만큼 의미 있는 공급량 증가가 있을 것”이라고 말했다.

웨이브로드는 그동안 다수 기업에 샘플을 공급했으나 대량 양산 경험은 없었다. 현재까지 국내 파운드리 업체가 GaN 전력반도체를 양산한 사례도 없는 것으로 전해졌다. 웨이브로드가 최종 품질 평가를 통과할 경우 GaN 에피택시 웨이퍼 국산화와 동시에 방위산업, 5G 기지국, 국방, 우주·항공 등의 분야 공략에도 동력이 붙을 것으로 보인다.

GaN 전력반도체는 신호증폭용(GaN on SiC), 전력전환용(GaN on Si)으로 나뉘는데, 웨이브로드는 양쪽 모두 8인치까지 대응 가능한 기술 개발을 완료한 상태다. 현재 GaN 전력반도체 양산라인은 기존 4, 6인치에서 8인치로 전환되는 추세다.

회사는 또 생산능력 확대를 위한 시설 투자와 연구개발(R&D) 인력 충원을 위해 다음달 말까지 시리즈B 투자 유치를 진행 중인 것으로 전해졌다. 레도스(LEDos) 마이크로디스플레이 시장을 겨냥해 작년 말부터 시작한 GaN 에피택시 웨이퍼 기반의 발광다이오드(LED) 소자 개발에도 투자할 전망이다.

웨이브로드 관계자는 “다수의 고객사와 품질 평가를 진행 중인 것은 맞으나, 구체적 고객사 확인은 불가하다”고 말했다.

한편, 웨이브로드는 최근 방위산업청으로부터 '혁신 프리미어 1000'으로 선정되기도 했다. 국방레이더를 비롯한 무선통신 분야에서 활용도가 높은 반도체 기술 국산화 노력을 인정받은 결과로 내년 말까지 금융·비금융 지원을 받게 됐다.

박진형 기자 jin@etnews.com

Copyright © 전자신문. 무단전재 및 재배포 금지.