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[IT뉴스]D램설계 난제 풀었다…삼성전자, 메모리시장 주도권 되찾을까 [팩토리 팝콘]

온카뱅크관리자

2025-06-24 07:37:34

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div>  <strong class="summary_view" data-translation="true">중앙배선층 설계 변경<br>적은 면적에도 발열 낮춰<br>D램 생산수율 60% 증가</strong> 
        <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> 
         <section dmcf-sid="XHobi9Q0kd">
          <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="e8dc7506da516fc3144b24ef45fcab8220a632563f60af3355534a686d842b46" dmcf-pid="ZXgKn2xpje" dmcf-ptype="figure">
           <p class="link_figure"><img alt="삼성전자의 12나노급 LPDDR5X D램 [사진 = 삼성전자]" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202506/24/mk/20250624073601754nwvc.png" data-org-width="700" dmcf-mid="YhVtRq41kF" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img1.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202506/24/mk/20250624073601754nwvc.png" width="658"></p>
           <figcaption class="txt_caption default_figure">
            삼성전자의 12나노급 LPDDR5X D램 [사진 = 삼성전자]
           </figcaption>
          </figure>
          <div contents-hash="803f939aad72379b956e71710ae381c2472121117ed248e639d3fd54cde2b365" dmcf-pid="5Za9LVMUaR" dmcf-ptype="general">
           삼성전자가 그동안 발목을 잡았던 ‘D램’ 설계상의 난제를 해결한 것으로 알려졌다. 이로써 삼성전자는 D램의 성능과 수율을 동시에 끌어올릴 수 있게 됐다. 이를 바탕으로 삼성전자가 메모리 반도체 시장에서 다시 주도권을 되찾을 수 있을지 주목된다.
          </div>
          <p contents-hash="49cd3d984bed70ba1f1278adf73115b4aaa8bf560e6973d66b3796b1e92696dd" dmcf-pid="1n0OtCYcjM" dmcf-ptype="general">23일 복수의 반도체 업계 관계자들에 따르면 삼성전자는 최근 D램을 구성하는 핵심 요소 가운데 하나인 ‘중앙 배선층’ 설계를 바꾸는 데 성공했다. 중앙 배선층은 D랩 내에서 전력과 클럭·제어 신호를 주변에 위치한 셀 어레이로 고속·균일하게 분배하는 핵심 배선 구조다.</p>
          <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="8ef3724b5975521aa286f95bace4099b8152e6e93d36f3a04d68ce4babf4d9a7" dmcf-pid="tLpIFhGkjx" dmcf-ptype="figure">
           <p class="link_figure"><img class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202506/24/mk/20250624073603054rlgv.jpg" data-org-width="300" dmcf-mid="x6JKAQnbAN" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img2.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202506/24/mk/20250624073603054rlgv.jpg" width="658"></p>
          </figure>
          <div contents-hash="93336b1cac9d93f3d4dfbe7af712e1a510e630ae950c270a56f3e64a968bb087" dmcf-pid="FoUC3lHEjQ" dmcf-ptype="general">
           그동안 삼성전자는 이 중앙 배선층의 폭과 면적을 좁히는 데 어려움을 겪고 있었다. D랩에 11나노급 공정이 적용되기 시작하는 등 공정 미세화 경쟁이 치열해지고 있다. 이럴수록 중앙 배선층 역시 배선을 더 촘촘히 깔아서 더 많은 신호가 오갈 수 있도록 해야 한다.
          </div>
          <p contents-hash="362f638a4f939515ddadc2561f6e510f551a75c4244d7f90564ca901850ec3d6" dmcf-pid="3guh0SXDgP" dmcf-ptype="general">업계 관계자는 “칩에서 중앙 배선층이 차지하는 면적이 넓으면 셀 배치가 지나치게 빡빡해진다”며 “이로 인해 수율도 떨어지고 만족할 만한 성능도 나오기 어렵다”고 설명했다.</p>
          <p contents-hash="d3789c5d29ba5efe8f95e7993e0e605c5f9ffc07a468e0cdee7d8d699740ab73" dmcf-pid="0a7lpvZwo6" dmcf-ptype="general">삼성전자는 중앙 배선층 설계를 바꾸기 위해 지난해 하반기 외부의 반도체 설계 전문가들을 영입·채용했고 이들의 노하우를 활용해 이른 시간 안에 중앙 배선층 설계를 일신했다. 그 결과, 기존보다 적은 면적을 차지하면서도 발열은 적고 전력과 정보 전달은 원활한 D램 구조를 만드는 데 성공했다.</p>
          <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="f5176c8b776c4a9ddacfebe5cf4c050b2db38d71e00184888e3e4d5f70d37754" dmcf-pid="pNzSUT5rg8" dmcf-ptype="figure">
           <p class="link_figure"><img alt="지난 4월 8일 서울 서초구 삼성전자 서초사옥 앞에 벚꽃이 활짝 만개한 모습. [김호영 기자]" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202506/24/mk/20250624073604607xmkt.jpg" data-org-width="700" dmcf-mid="7Wqvuy1mAC" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img1.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202506/24/mk/20250624073604607xmkt.jpg" width="658"></p>
           <figcaption class="txt_caption default_figure">
            지난 4월 8일 서울 서초구 삼성전자 서초사옥 앞에 벚꽃이 활짝 만개한 모습. [김호영 기자]
           </figcaption>
          </figure>
          <div contents-hash="39f02f1f9b4c2062690e38285a54abf14f08704e1b5e7721f8aa8e87e1a74216" dmcf-pid="Ujqvuy1mc4" dmcf-ptype="general">
           이 같은 성과를 바탕으로 삼성전자는 D램 생산 수율을 60% 이상으로 훌쩍 높이는 성과를 거뒀다. 삼성전자는 새로운 설계를 도입한 D램을 본격적으로 양산하기 전까지 수율을 더 높이기 위한 연구에 착수하는 한편 고객사들과 협력해 실제 제품화했을 때 발생하는 문제는 없는지 등의 테스트도 병행하고 있는 것으로 알려졌다.
          </div>
          <p contents-hash="0b182b4abc67147d0c4adbfc12b27c3e5989e63ad0758bb2ec04fbc8a19195bd" dmcf-pid="uABT7Wtsof" dmcf-ptype="general">삼성전자는 새로운 설계를 6세대 D램인 1c D램에 적용할 예정이다. 또 이렇게 생산한 D램을 이르면 하반기부터 생산 예정인 HBM4에 사용할 전망이다.</p>
          <p contents-hash="e6abd9bf2397d83e7cee6c5426883ca7c5b5ea3ff9e56d58a8831188eb1a1c93" dmcf-pid="7cbyzYFOkV" dmcf-ptype="general">업계에서는 이번 설계 변경 성공이 삼성전자가 메모리 반도체 시장에서 주도적인 지위를 회복하는 데 도움이 될 것으로 내다보고 있다.</p>
          <p contents-hash="0ae244367cd0176098e17158c90f8e1f1f7b69596f340759fa96fc891017456f" dmcf-pid="zkKWqG3IN2" dmcf-ptype="general">반도체 업계 관계자는 “삼성전자가 지난 몇 년간 수차례 판단 착오로 벌어졌던 기술적 격차를 메울 기회를 잡았다”며 “삼성전자는 이번 기회를 놓치려 하지 않을 것”이라고 말했다. 그는 “다만 이를 위해선 1c D램과 HBM4의 양산을 빨리 앞당겨야 한다”며 “엔비디아 등 글로벌 테크 기업들의 신뢰를 되찾는 작업도 서둘러야할 것”이라고 덧붙였다.</p>
          <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="bc7f0c56714e4311fba235e31190b2efbc0c49606134e062442f3dfe1e55b5f0" dmcf-pid="qE9YBH0Cc9" dmcf-ptype="figure">
           <p class="link_figure"><img class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202506/24/mk/20250624073605919tmqg.png" data-org-width="700" dmcf-mid="HqwQkMo9aJ" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img2.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202506/24/mk/20250624073605919tmqg.png" width="658"></p>
          </figure>
         </section> 
        </div> 
        <p class="" data-translation="true">Copyright © 매일경제 &amp; mk.co.kr. 무단 전재, 재배포 및 AI학습 이용 금지</p>

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