올해 ‘대한민국최고과학기술인상’ 수상자로 황철성(사진) 서울대 석좌교수를 선정했다고 과학기술정보통신부와 한국과학기술단체총연합회(과총)가 3일 밝혔다.

대한민국최고과학기술인상은 한국을 대표하는 연구성과를 이룬 과학기술인을 발굴해 알리고 명예와 자긍심을 높이기 위해 2003년부터 시상해 온 국내 최고 권위의 과학기술인상이다. 수상자는 연구개발 업적뿐 아니라 경제발전 기여도, 국민 생활 향상에 미친 영향 등을 종합 평가해 선정한다.

황 교수는 기존 D램(DRAM), 낸드플래시 등 메모리 반도체 분야를 뛰어넘는 새로운 소자와 물질 발견에 크게 기여했다. 특히 저항 스위칭 재료 및 소자 분야의 선구적 업적으로 국가 반도체 산업 발전에 기여한 공로를 인정받았다. 황 교수가 동료 교수들과 발표한 저항 변화 메모리 소자의 전환 메커니즘 연구는 2010년 네이처 나노테크놀로지에 게재된 후 현재까지 2450회 이상 인용되며, 저항 변화 메모리 반도체 분야에서 인용 빈도수 상위 다섯 번째 논문에 올랐다. 

황 교수는 SCI(과학기술논문 인용색인) 논문 750편을 발표하고, 국내외 특허 227건(142건 출원, 85건 등록)과 기술 이전 16건 등 지속적인 산·학 협력 등을 통해 반도체 산업 발전에 공헌했다. 최근에는 인간의 뇌처럼 작동하는 뉴로모픽 반도체 개발 연구에 힘쓰고 있다. 

황 교수는 메모리 반도체 분야에서 최근 주목할 변화에 대해 “V(수직) 낸드플래시와 같이 D램도 3차원 적층 소자가 곧 개발돼 반도체가 이제 평면상의 집적도 경쟁이 아닌 부피에 대한 집적도 경쟁으로 바뀔 것”이라며 “이 부분은 이제 연구가 시작되는 단계라 저희 연구가 앞으로 기여할 바가 많을 것으로 기대한다”고 밝혔다. 황 교수는 향후 10년간 일어날 반도체 관련 변화로는 “현재 인공지능(AI) 시스템의 과도한 전력 사용을 개선할 수 있는 연구가 반도체에서는 매우 중요하다”며 “기존의 그래픽처리장치·고대역폭메모리(GPU+HBM)의 성능 개선과 더불어 프로세싱 인 메모리(PIM)과 같은 새로운 반도체 칩의 개발, 그리고 인간의 뇌와 비슷한 방식으로 동작하는 뉴로모픽 반도체의 개발 등에서 해답을 찾아야 할 것으로 보인다”고 설명했다.

서울대 무기재료공학과에서 학·석·박사를 마친 황 교수는 삼성전자 반도체연구소에서 선임연구원으로 근무한 뒤 1998년부터 모교 재료공학부 교수로 재직해 왔다.

황 교수는 9일 서울 강남구 한국과학기술회관에서 열리는 ‘제3회 세계 한인 과학기술인대회’ 개회식에서 대통령상과 상금 3억원을 받는다.

송은아 기자 sea@segye.com

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