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[IT뉴스]반도체 레이저 어닐링 공정 저변 확대…SiC·400단 낸드 적용 추진

온카뱅크관리자

2026-06-03 17:07:31

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        <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> 
         <section dmcf-sid="4z22gZpXOQ">
          <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="3c842fcfc22f32df6ce6c4ad21d3d90f143aabbe18e3136a7ed33b272521680e" dmcf-pid="8qVVa5UZDP" dmcf-ptype="figure">
           <p class="link_figure"><img alt="울프스피드 8인치 SiC 웨이퍼" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202606/03/etimesi/20260603170219116xmlh.jpg" data-org-width="700" dmcf-mid="Vu77eTZvsM" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img2.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202606/03/etimesi/20260603170219116xmlh.jpg" width="658"></p>
           <figcaption class="txt_caption default_figure">
            울프스피드 8인치 SiC 웨이퍼
           </figcaption>
          </figure>
          <p contents-hash="e5dc0c95078b936656f6c821d27bab02295afd6083177f85d04f8af1c448ab69" dmcf-pid="6BffN1u5O6" dmcf-ptype="general">반도체 열처리 공정 중 하나인 '어닐링' 수요가 확대된다. 기존 실리콘(Si) 웨이퍼에서 주로 썼던 공정이 차세대 전력 반도체로 꼽히는 실리콘카바이드(SiC)까지 확산하는 추세다. 400단 이상 고단 낸드 등 차세대 메모리와 첨단 시스템 반도체에서도 어닐링 활용이 늘어날 전망이다.</p>
          <p contents-hash="47e1a84d61b2a03ccd32cc362dda274b404a9c72fdcdf55245eb100bdb841abb" dmcf-pid="Pb44jt71D8" dmcf-ptype="general">3일 업계에 따르면, SiC 웨이퍼 시장 1위인 울프스피드는 최근 레이저 어닐링 장비 도입을 추진하고 있다. 현재 국내 레이저 어닐링 장비 협력사와 구매주문(PO)을 협의하는 것으로 파악됐다. 초기 소량 도입 후 적용 물량을 늘릴 것으로 전망된다.</p>
          <p contents-hash="a749b3e3b8749e4ccfd78570008f9472c4232f330f8ce4ca9cc1f7f9b006c643" dmcf-pid="QK88AFztm4" dmcf-ptype="general">업계 관계자는 “지금까지 어닐링 공정이 잘 쓰이지 않았던 SiC 웨이퍼 공정에서 본격적인 도입 및 적용 행보가 시작됐다”며 “SiC 웨이퍼 크기가 8인치 이상으로 전환되는 것도 어닐링 장비 활용에 긍정적”이라고 밝혔다.</p>
          <p contents-hash="5b4c21414eb1f44f7d578a2a7aa5e568cd5ca20e26ee9130bb58778e046e92b5" dmcf-pid="x966c3qFOf" dmcf-ptype="general">반도체 어닐링은 웨이퍼에 일정 온도를 가해 격자 손상을 복구하고 주입된 불순물을 활성화해 전기적 특성을 활성화하는데 쓰인다. 주로 이온 주입 후 공정으로 분류된다.</p>
          <p contents-hash="25a506595c6c2f91922ce2dcc9751c833a3c17b825058bc6ff90d389bbc89664" dmcf-pid="ysSSuaDgDV" dmcf-ptype="general">반도체 웨이퍼 주류인 실리콘에는 어닐링 많이 도입됐지만, SiC에서는 활용에 제한이 있었다. 1000도 정도인 Si과 견줘 보다 보다 높은 온도(1600도 이상)로 열을 가해야하기 때문이다. 또 웨이퍼 계면 손상이나 결함 발생도 어닐링 도입이 어려웠던 원인이다.<br></p>
          <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="9043367283ad48a27b3f08176fea5baa079561b0d5ea24c64d0421e4499ad7b5" dmcf-pid="WOvv7NwaD2" dmcf-ptype="figure">
           <p class="link_figure"><img alt="생성형 AI가 만든 반도체 레이저 어닐링 이미지(사진=나노바나나)" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202606/03/etimesi/20260603170220457onyp.png" data-org-width="700" dmcf-mid="fUeemzV7Ex" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img1.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202606/03/etimesi/20260603170220457onyp.png" width="658"></p>
           <figcaption class="txt_caption default_figure">
            생성형 AI가 만든 반도체 레이저 어닐링 이미지(사진=나노바나나)
           </figcaption>
          </figure>
          <p contents-hash="74bf238cd256249474753044a83b5a3288d60909a548fb9a8377fb1323acec4a" dmcf-pid="YNDDXMLxs9" dmcf-ptype="general">최근에는 레이저로 매우 좁은 특정 부위나 초단시간 내 어닐링을 진행, 열 부담을 줄일 수 있게 되면서 SiC 적용 가능성이 높아졌다. 울프스피드뿐만아니라 2028년 양산을 목표로 SiC 위탁생산(파운드리) 사업을 준비 중인 삼성전자도 레이저 어닐링 공정 도입을 검토하는 것으로 알려졌다.</p>
          <p contents-hash="d81c6280a744bd5b09f7b111eaa01eae5bbd903e89d0cdd55c3d737bf14687d3" dmcf-pid="GjwwZRoMwK" dmcf-ptype="general">SiC가 전력 반도체 수요 확산으로 주목받으면서 어닐링 공정도 함께 확산될 것으로 분석된다. SiC는 내열·내구성이 실리콘 대비 우수한 화합물 반도체 소재로, 차세대 전력 반도체로 각광받고 있다.</p>
          <p contents-hash="70c1bfa8943a63bd9c26df0b789192b80737319c134e104041b00682ff6e86e4" dmcf-pid="HArr5egRrb" dmcf-ptype="general">차세대 메모리와 첨단 시스템 반도체 분야에서도 어닐링 확산이 기대된다. 400단 이상 고단 낸드 플래시가 대표 사례다. 낸드 성능과 용량을 높이려면 단수를 높여야 한다. 이후 수직으로 쌓은 메모리 셀 간 신호 전달 경로 '채널 홀'을 파는데, 단수가 높을수록 채널홀이 깊어져 전기적 특성이나 구조적 안정성을 확보하는데 난항을 겪게 된다.</p>
          <p contents-hash="74e241b0a649d2cacf95e1a873ad40d12f2941874eef60b0023705a071889566" dmcf-pid="Xcmm1daeEB" dmcf-ptype="general">어닐링은 채널 홀 영역에 결정화하는 방식으로 이같은 문제를 해결할 방법론으로 주목받고 있다. 실제 일부 낸드 제조사가 400단 이상 낸드 구현에 필요한 국소 결정화에 어닐링을 추진 중인 것으로 전해진다.</p>
          <p contents-hash="3d753b5e2917358ef79faadccbb6f3d5c386908a0bf42633f28745b593db7f0e" dmcf-pid="ZksstJNdwq" dmcf-ptype="general">또 다른 업계 관계자는 “2나노미터(㎚) 이하 첨단 시스템 반도체 제조 공정에도 국소 어닐링을 적용하려는 업계 시도가 이어지고 있다”며 “어닐링 공정 확산으로 레이저 솔루션 시장 성장에 기여할 것”이라고 말했다.</p>
          <p contents-hash="b2a03614e8bd580f282c6331e00d1e28526930d361f2c3054d163342605008cd" dmcf-pid="5EOOFijJOz" dmcf-ptype="general">권동준 기자 djkwon@etnews.com</p>
         </section> 
        </div> 
        <p class="" data-translation="true">Copyright © 전자신문. 무단전재 및 재배포 금지.</p>

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