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[IT뉴스]삼성전자 "HBM의 원조는 AMD…헬리오스 MI455X에 삼성 HBM4 탑재" [AAI 2026]

온카뱅크관리자

2026-07-24 09:57:29

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> [인더스트리 AI] 19년 동맹으로 AI 데이터센터 정복 
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 [샌프란시스코(미국)=디지털데일리 김문기기자] "전세계 AI 가속기의 핵심 요소인 고대역폭 메모리(HBM)를 처음 고안한 것은 메모리 기업이 아닌 바로 AMD였다. 2007년부터 19년간 이어진 삼성전자와 AMD의 파트너십은 HBM 기술 혁신을 거쳐, 현재 리사 수 CEO가 발표한 AMD의 최첨단 랙스케일 인프라 '헬리오스(Helios)' 플랫폼 및 '인스팅트 MI455X'의 핵심 메모리 공급으로 이어지고 있다."
 바트 워커(Bart Walker) 삼성전자 메모리 글로벌 어카운트 부문 부사장(VP)과 제임스 안(James An) 삼성전자 수석 엔지니어는 23일(현지시간) 미국 샌프란시스코 모스콘 웨스트에서 열린 AMD '어드벤싱 AI(Advancing AI) 2026' 세션 무대에 함께 올라 양사의 공동 설계(Co-design) 솔루션과 차세대 AI 메모리 로드맵을 발표했다.
 ◆ "HBM의 원조는 AMD"… 19년 동맹, 헬리오스 MI455X 'HBM4' 탑재로 결실
 무대에 오른 바트 워커 부사장은 AI 반도체 산업 역사 뒤에 숨겨진 비화를 소개하며 양사의 깊은 신뢰 관계를 강조했다.
 바트 워커 부사장은 "2008년 당시 기존 메모리가 GPU 속도와 전력 효율을 따라가지 못하자, AMD 엔지니어들은 메모리 다이를 수직 적층하고 수천 개의 I/O로 연결하는 혁신적 아이디어를 떠올렸다"며 "이것이 바로 2013년 JEDEC 표준으로 채택된 HBM의 시작"이라고 전했다.
 이어 "삼성전자는 2007년 라데온 HD 2000 시리즈에 GDDR4를 공급한 이래, 인스팅트 AI 가속기 3세대에 걸쳐 메모리 런치 파트너로 협력해 왔다"며 "리사 수 회장이 발표한 최신 '헬리오스(Helios)' 플랫폼의 핵심 가속기인 'MI455X'에도 삼성의 HBM4가 탑재됐다"고 발표했다.
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 앞서 올해 초 리사 수 AMD CEO는 삼성전자 평택 캠퍼스를 직접 방문해 차세대 메모리 협력 확대를 위한 신규 양해각서(MOU)를 체결한 바 있다.
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 ◆ 4나노 파운드리 베이스 다이 적용 'HBM4' 양산… HBM4E 16단 적층 지원
 기술 발표를 맡은 제임스 안 수석 엔지니어는 AMD 인프라에 최적화된 차세대 메모리 스펙과 기술 혁신 성과를 구체적으로 소개했다.
 삼성전자는 AMD MI455 Instinct GPU에 최상위 신뢰성과 전력 효율을 갖춘 HBM4를 공급하고 있으며, 헬리오스 플랫폼에 탑재되는 6세대 에픽(EPYC) CPU용 DDR5 솔루션도 함께 전담 공급한다.
 제임스 안 수석은 "올해 2월부터 양산 및 상용 출하에 들어간 HBM4는 기존 HBM3E(1K 핀) 대비 I/O 수치를 2K 핀으로 2배 확대했다"며 "삼성 파운드리의 첨단 4나노 로직 공정을 적용한 FinFET 베이스 다이를 채택해, 기존 DRAM 공정 대비 2배 이상의 성능과 50% 이상의 전력 효율 향상을 이뤄냈다"고 강조했다.
 이어 후속 제품인 'HBM4E' 로드맵도 구체화했다. 12단 적층(12-Hi) HBM4가 패키지당 36GB 용량을 제공하는 데 이어, 차세대 HBM4E는 32Gb 1c 코어 다이를 기반으로 패키지당 최대 64GB 용량, 핀당 최대 16Gbps의 속도를 제공하며 최대 16단 적층(16-Hi)까지 지원할 예정이다.
 ◆ 업계 최초 12nm급 32Gb DDR5 개발… "AI 아키텍처가 성능 결정"
 서버용 시스템 메모리 영역에서는 업계 최초로 12nm급 공정을 적용한 '32Gb DDR5' 개발 성과가 제시됐다. 세계 최고 수준의 TSV 및 EUV 기술을 집약한 차세대 DDR5는 최대 8,000Mbps(8Gbps)의 데이터 전송 속도와 단일 모듈 기준 최대 256GB의 고용량을 제공하며, 이전 세대 대비 전력 소비를 15% 감축했다.
 제임스 안 수석은 "AI를 지탱하는 기본 아키텍처가 결국 최종 성능과 결과를 결정짓는다"며 "삼성의 차세대 DRAM과 NAND 포트폴리오는 기업의 총소유비용(TCO) 절감과 성능 향상에 결정적 역할을 할 것이며, AMD와의 긴밀한 공동 설계를 통해 AI 데이터센터 워크로드의 한계를 계속해서 허물어갈 것"이라고 확답했다.
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