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[IT뉴스][팩트체크] 中 DUV 국산화, 정말 반도체 판도 바꿀까

온카뱅크관리자

2026-08-04 06:07:29

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> 중국산 DUV, 올해 5대·내년 20대 생산 전망 ASML보다 처리량 낮고 양산 안정화까지 ‘수년’ 당장 HBM 위협 제한적, 장비 생태계 자립은 경계 
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 그래픽=조선일보DB
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 중국이 자체 개발한 액침식 심자외선(DUV) 노광장비 생산에 돌입하면서 네덜란드 ASML과의 기술 격차를 빠르게 좁히고, 삼성전자와 SK하이닉스가 주도하는 고대역폭메모리(HBM) 시장까지 위협할 수 있다는 우려가 나온다. 그러나 중국은 이미 수입한 ASML DUV 장비로 반도체를 생산해왔다. 이번 성과는 DUV를 새로 확보했다기보다 서방의 수출 통제에도 자체 장비로 생산을 이어갈 기반을 마련했다는 데 의미가 있다.
 중국산 장비는 아직 생산성과 신뢰성이 충분히 검증되지 않은 초기 단계다. 장비를 만드는 것과 생산라인에서 높은 수율과 가동률을 유지하며 양산하는 것은 다른 문제다. 노광장비 역시 반도체 업체 혼자 운용하는 것이 아니라 ASML과 도쿄일렉트론, 어플라이드 머티어리얼즈 등 장비업체들이 장기간 공정 조건을 조정하며 안정화하는 구조다. 당장 첨단 반도체 판도를 바꿀 수준은 아니지만, 중국이 자국산 장비를 실제 생산에 투입하며 기술과 생태계를 축적하는 흐름은 경계해야 한다는 평가다.
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 <img alt='중국 소셜미디어 웨이신의 한 반도체 관련 매체는 7월1일 "상하이마이크로일렉트로닉스(SMEE)가 28나노급 심자외선(DUV) 노광장비를 개발하는 데 성공했다"고 주장했다. /바이두' class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202608/04/chosunbiz/20260804060212720carr.jpg" data-org-width="1000" dmcf-mid="FX8s3jAij7" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img2.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202608/04/chosunbiz/20260804060212720carr.jpg" width="658">
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 중국 소셜미디어 웨이신의 한 반도체 관련 매체는 7월1일 "상하이마이크로일렉트로닉스(SMEE)가 28나노급 심자외선(DUV) 노광장비를 개발하는 데 성공했다"고 주장했다. /바이두
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 ① 中 DUV 개발, ASML 따라잡았다는 의미인가
 3일 관련업계에 따르면 중국 상하이의 국유기업 아이성나전자기술그룹은 최근 자국산 액침식 DUV 장비 생산을 시작했다. 올해 약 5대, 내년 20대 안팎을 생산해 SMIC와 화훙반도체, 창신메모리(CXMT) 등에 공급할 것으로 알려졌다. 중국은 기존에 확보한 ASML DUV 장비와 다중 패터닝을 활용해 7나노급 반도체까지 생산해왔다.
 따라서 DUV 자체 생산이 곧바로 새로운 미세공정 능력을 확보했다는 뜻은 아니다. 핵심은 미국과 네덜란드의 장비·부품·유지보수 통제가 강화되는 상황에서도 중국이 자체 장비로 생산능력을 늘릴 수 있는 기반을 갖추기 시작했다는 점이다.
 중국산 장비의 구체적인 처리량과 오버레이 정밀도는 공개되지 않았다. 일부 중국 매체는 SMEE의 28나노급 대응 장비가 현지 파운드리에 공급됐다고 주장하지만 납품 물량과 가동 수준은 공식 확인되지 않았다. 김형준 서울대 명예교수 겸 차세대지능형반도체사업단장은 “자체 기술을 확보한 것은 괄목할 성과지만, 아직 시제품 테스트 단계에 가깝고 ASML 수준의 처리량을 확보하려면 수년 이상이 필요하다”고 말했다.
 ② 장비를 만들면 곧바로 양산할 수 있나
 노광장비는 회로를 한 차례 그려내는 데 성공했다고 개발이 끝나는 제품이 아니다. 실제 생산라인에서는 수천∼수만장의 웨이퍼를 처리하며 시간당 처리량과 오버레이, 수율, 가동률, 부품 수명 등을 검증해야 한다. 장비 반입 이후 공정 안정화에 수년이 걸릴 수 있는 이유다.
 노광장비만 조정한다고 양산이 가능한 것도 아니다. 감광액을 바르고 현상하는 코터·디벨로퍼부터 식각·증착·세정·계측장비의 조건까지 함께 맞춰야 한다. ASML과 도쿄일렉트론, 어플라이드 머티어리얼즈, 램리서치, KLA 등의 엔지니어들이 고객사와 수십 년간 데이터를 축적하며 장비 간 편차와 불량 원인을 잡아온 경험 자체가 진입장벽이다.
 박재근 한양대 융합전자공학부 석학교수는 중국산 장비가 ASML 수준에 도달하려면 3~4년가량이 필요할 것으로 봤다. 박 교수는 “처음에는 수율과 생산성이 떨어지겠지만 중국 정부가 자국산 장비 사용을 밀어붙이고 있어, 생산 경험이 쌓일수록 장비 기술도 좋아질 것”이라고 말했다.
 ③ DUV로 첨단 반도체와 HBM을 만들 수 있나
 DUV로 14나노 이하 공정을 구현할 수 없다는 설명은 정확하지 않다. 반도체 업체들은 EUV 도입 전부터 DUV 다중 패터닝으로 14나노와 10나노, 7나노급 공정을 구현했다. 문제는 생산비와 수율이다. EUV로 한 번에 처리할 회로를 DUV로 두 번에서 네 번 이상 나눠 그리면 공정 시간이 길어지고 오버레이 오차와 결함 가능성도 커진다.
 HBM도 생산 자체가 불가능한 것은 아니다. 다만 HBM은 D램 성능뿐 아니라 실리콘관통전극(TSV), 적층, 본딩, 열 관리와 고객 인증이 결합된 제품이다. 기반 D램의 수율과 성능이 떨어지면 여러 개의 다이를 쌓은 완제품의 생산성과 성능도 낮아진다.
 중국은 최고 성능 HBM4나 12단·16단 제품보다 적층 수와 속도를 낮춘 제품부터 내놓을 가능성이 크다. 박 교수는 “삼성전자나 SK하이닉스 수준의 고성능 HBM은 당장 어렵더라도 8단 제품 등으로 추론용 AI 시장을 공략할 수 있다”고 말했다.
 ④ 당장 한국 반도체를 위협하나
 중국산 DUV가 한국의 고성능 메모리 시장을 단기간에 흔들 가능성은 제한적이다. 다만 DDR4와 저사양 DDR5, 자동차·가전용 반도체 등 범용·레거시 시장에서는 공급 확대와 가격 경쟁이 거세질 수 있다. 수입 DUV 장비 추가 확보가 막힌 중국이 자국산 장비 공급을 늘리면 생산성이 낮더라도 범용 반도체 생산능력을 계속 확대할 수 있기 때문이다.
 삼성전자와 SK하이닉스는 범용 메모리 비중을 줄이고 HBM과 고성능 D램 등 고부가가치 제품 중심으로 전환을 더욱 서두를 것으로 보인다. AI 데이터센터 투자로 고성능 메모리도 공급이 부족해 중국 업체의 범용 제품 증산이 국내 업체의 전체 실적 악화로 곧바로 이어지는 구조는 아니다.
 김 단장은 “당장의 장비 성능보다 중국이 자국산 장비를 계속 사용하면서 자금과 생산 데이터, 기술 개선이 맞물리는 생태계를 만드는 점을 더 경계해야 한다”고 말했다. 중국 DUV 국산화를 경계해야 하는 점은 현재의 성능보다 중국이 스스로 장비를 생산하고 개선하며 기술 격차를 줄일 구조를 갖추기 시작했다는 데 있다는 것이다.
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