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[IT뉴스]HBM 성능의 핵심은 ‘베이스 다이’...하이닉스·엔비디아 주도권 경쟁

온카뱅크관리자

2026-08-31 05:57:25

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div>  <strong class="summary_view" data-translation="true">엔비디아, NVHBM 눈길 끌자<br>하이닉스, 삼성 설계 인력 영입</strong> 
        <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> 
         <section dmcf-sid="9ksNhGMVCp">
          <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="9a271860b2ce15103c2b0e05662edc4070ad9dc01f1a8d660dea65dbee3a083b" dmcf-pid="2EOjlHRfh0" dmcf-ptype="figure">
           <p class="link_figure"><img class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202608/31/mk/20260831055106024ovja.jpg" data-org-width="523" dmcf-mid="KPDLsT6bWU" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img2.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202608/31/mk/20260831055106024ovja.jpg" width="658"></p>
          </figure>
          <div contents-hash="1b2433f3536b56c8e0e8927f46b7ae3a03ddfe35781622be2ac658f7e2143d74" dmcf-pid="VDIASXe4W3" dmcf-ptype="general">
           용어) 베이스 다이(Base Die): D램을 여러 층 쌓은 HBM의 가장 아래에 위치하는 반도체로 GPU와 회로를 통해 직접 연결된다.
          </div>
          <p contents-hash="df56e55afcaa85c7d92edfda3cf7b30778ca1d47863e878b27edeb49177e9421" dmcf-pid="fwCcvZd8vF" dmcf-ptype="general">고대역폭메모리(HBM)와 그래픽처리장치(GPU)를 연결하는 베이스 다이의 중요성이 커지면서 이 분야 주도권을 확보하기 위한 반도체 기업 간 경쟁이 확대되고 있다. 엔비디아가 직접 베이스 다이에 들어가는 표준 메모리 컨트롤러를 만들겠다고 밝힌 가운데 SK하이닉스도 로직 설계를 하는 삼성전자 출신 엔지니어들을 대규모로 영입하고 있다.</p>
          <p contents-hash="e0171d5e7701316a602cfe8a691d3f6b3b11464b602bdbabac2c2e496d4aafe5" dmcf-pid="4xi8gD71Wt" dmcf-ptype="general">30일 업계에 따르면 엔비디아가 최근 공개한 기술인 NVHBM은 그동안 엔비디아가 개발해 GPU에 탑재했던 메모리 컨트롤러를 HBM의 베이스 다이로 옮기는 것이 핵심이다. 이를 통해 HBM과 GPU의 성능을 모두 높일 수 있다는 것이 엔비디아의 설명이다.</p>
          <p contents-hash="387ffb8ac02c545ffaa092886f4befa3e7601984af40f03a7ddd8026c3513322" dmcf-pid="8Mn6awztC1" dmcf-ptype="general">특히 엔비디아는 베이스 다이에 들어갈 엔비디아의 메모리 컨트롤러가 향후 엔비디아가 개발할 차세대 메모리 컨트롤러와 동일하다고 설명했다. 기존에 메모리 반도체 업체들이 직접 해오던 베이스 다이에 엔비디아가 참여할 것임을 시사한 것이다.</p>
          <p contents-hash="f119d6549c0fbf07ce6a1dba2e546c16a00bab69c3e00731676c6c3959a36ed2" dmcf-pid="6RLPNrqFy5" dmcf-ptype="general">삼성전자도 지난 23일(현지시간) 미국 스탠퍼드대에서 열린 ‘핫칩스 2026’에서 향후 베이스 다이가 다양한 역할을 할 것임을 시사했다. 삼성전자도 NVHBM에 참여할 것으로 예상되기 때문에 베이스 다이 설계를 어떻게 나눌 것인지가 엔비디아와 메모리 반도체 업체 간 주도권 경쟁에 영향을 미칠 것으로 예상된다.</p>
          <p contents-hash="fe4f36664642055eda6ec14b6851251077863a7e086395f5e54808925ec9889c" dmcf-pid="PeoQjmB3vZ" dmcf-ptype="general">업계에서는 엔비디아가 아마존웹서비스(AWS)와 손잡고 일종의 표준 베이스 다이를 만들어 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 메모리 3사의 영향력을 줄이려는 목적으로 보고 있다.</p>
          <p contents-hash="1e11e3d6882a1600f1af7605ea7ca7cc1bc75df27381a241d9c9111d62ef0857" dmcf-pid="QdgxAsb0CX" dmcf-ptype="general">삼성전자는 시스템LSI사업부 출신 인재들을 통해 로직 다이를 직접 설계해왔다. 4나노 첨단 파운드리 공정을 도입해 다른 메모리 반도체들보다 훨씬 높은 성능의 HBM4를 개발할 수 있었다. 삼성전자의 경우 베이스 다이를 직접 설계하는 것 이상으로 이를 자체 파운드리에서 생산하는 것이 중요하다. 삼성의 HBM 공급 물량이 많아질수록 파운드리 가동률도 높아질 것이기 때문이다.</p>
          <p contents-hash="75b3bc5436519e45a299bb8e807b401412a494e7dc1514bedb6d78e77312a04c" dmcf-pid="xJaMcOKpSH" dmcf-ptype="general">SK하이닉스는 HBM4E부터 TSMC의 최선단 파운드리에서 베이스 다이를 만들 예정이다. 이에 따라 직접 베이스 다이를 설계할 수 있는 로직 반도체 인력을 늘려왔다. 업계에 따르면 SK하이닉스는 올해 삼성전자의 시스템LSI 출신 엔지니어들을 대규모로 영입했다. SK하이닉스는 직접 파운드리를 운영하지 않기 때문에 베이스 다이 설계 경쟁력을 갖춰야 타사와 차별화를 하는 것이 유리해진다.</p>
         </section> 
        </div> 
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