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[IT뉴스]샤오미폰에 중국산 메모리가 들어간 날, 삼성·SK 긴장한 이유

온카뱅크관리자

2026-09-21 08:57:24

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 <li>상장 첫날 466% 폭등한 창신메모리의 '역습'</li>
 <li>DRAM 점유율 1년새 두배…범용칩 시장 저가공세 본격화</li> 
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 <img alt="메모리 춘추전국 시대가 열렸다. (사진=생성형 AI)" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202609/21/552816-OGTrtXj/20260921084935603eaan.png" data-org-width="1024" dmcf-mid="KyDjLkLxlR" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img2.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202609/21/552816-OGTrtXj/20260921084935603eaan.png" width="658">
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 메모리 춘추전국 시대가 열렸다. (사진=생성형 AI)
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 지난 8월 말, 샤오미가 자사 폴더블폰 신제품에 중국산 메모리 반도체를 탑재한다는 소식이 전해졌다. 공급사는 창신메모리테크놀로지(CXMT). 2016년 설립된 이 회사가 만든 LPDDR6 메모리가 샤오미의 차세대 스마트폰에 들어간다는 발표였다. 레이쥔 샤오미 최고경영자는 소셜미디어에 "더 많은 중국 기업들이 연합해 정상에 오를 것"이라는 메시지를 남겼다. 
 같은 시기, 상하이 증시에서는 더 극적인 일이 벌어졌다. 7월 27일 상장한 창신메모리의 주가가 첫날 466% 폭등하며 시가총액 3조3000억 위안을 기록했다. 중국 최대 은행인 공상은행보다 높은 몸값이었다. 86억 달러를 끌어모은 이 IPO는 2026년 아시아 최대 규모였다. 
 반도체 업계가 주목한 건 단순히 높은 주가만이 아니었다. 창신메모리의 글로벌 DRAM 시장 점유율이 2025년 2분기 4%에서 2026년 2분기 10%로 1년 만에 두 배 이상 뛰었다는 사실이다. 카운터포인트리서치 집계 기준이다. 삼성전자 39%, SK하이닉스 25%, 마이크론 24%에 이어 4위다. 중국 기업으로는 처음으로 두 자릿수 점유율을 달성했다. 
 업계 관계자는 "저가 공세로 시장을 흔들 것이라는 예상은 있었지만, 성장 속도가 예상보다 빠르다"며 "범용 DRAM 시장에서 한국 기업들의 수익성에 영향을 줄 수밖에 없는 상황"이라고 말했다. 
 ■ 11.95나노 공정 달성, 기술 격차 2년으로 
 창신메모리가 9월 20일 안후이성 허페이에서 열린 세계제조업대회에서 공개한 5세대 DRAM 플랫폼(G5)은 기술적으로도 의미가 있다. 4중 패터닝 기술을 활용해 메모리 어레이의 반 피치를 11.95나노미터까지 줄였다. 웨이퍼당 생산되는 칩 개수가 4세대 대비 50% 늘었고, 에너지 효율도 개선됐다. 
 업계 분석에 따르면 창신메모리와 한국 기업 간 DRAM 기술 격차는 약 2년으로 좁혀졌다. HBM(고대역폭 메모리)은 3년 정도로 평가된다. 불과 몇 년 전만 해도 5년 이상 차이가 났던 점을 고려하면 빠른 추격이다. 코리아타임스는 한국 업계 관계자의 말을 인용해 "창신메모리가 여전히 3~4년 뒤처져 있고 HBM 기여도도 미미하다"고 보도했지만, 범용 DRAM에서의 격차는 더 좁혀진 상태다. 
 G5 플랫폼 기반으로 양산에 들어간 LPDDR5X 제품은 24기가비트 용량으로, 이전 세대보다 50% 많은 데이터를 담는다. 창신메모리는 개발 과정에서 디지털 트윈 시스템을 구축해 설계부터 제조까지 전 과정을 시뮬레이션하며 개발 기간을 단축했다고 밝혔다. 
 ■ LPDDR6 '세계 최초' 논란의 이면 
 창신메모리가 8월 말 발표한 LPDDR6 양산 소식은 중국 언론에서 "세계 최초"로 보도됐다. 최고 속도 12,800Mbps, 최대 용량 16기가비트 사양이다. 샤오미의 9월 신제품에 처음 탑재된다. 
 다만 '최초' 타이틀을 놓고 해석이 엇갈린다. SK하이닉스는 3월 10일 10나노급 6세대 공정 기반 16기가비트 LPDDR6 개발 완료를 발표했다. 당시 SK하이닉스는 "상반기 내 양산 준비를 마치고 하반기부터 제품을 공급한다"고 밝혔다. 성능은 LPDDR5X 대비 33% 빠르고 전력 소비는 20% 이상 줄었다. 
 삼성전자는 1월 CES 2026에서 LPDDR6 제품을 전시했지만 구체적인 양산 일정은 공개하지 않았다. 결국 '최초'의 기준이 개발 완료 시점인지, 양산 시작인지, 상용 제품 탑재인지에 따라 달라지는 문제다. 코리아헤럴드는 "창신메모리가 SK하이닉스, 삼성전자보다 먼저 LPDDR6 양산을 발표했다"고 정리했다. 
 흥미로운 건 샤오미의 선택이다. SK하이닉스는 샤오미를 포함한 중국 스마트폰 업체들에 LPDDR6를 우선 공급해 시장을 선점하려 했던 것으로 알려졌다. 하지만 샤오미는 창신메모리와 손잡았다. 중국 정부의 반도체 자급 정책이 실제 구매 결정으로 이어진 사례로 읽힌다. 
 ■ 2030년 95만 웨이퍼 목표, 마이크론 추월 코앞 
 창신메모리의 생산능력 확대 계획은 공격적이다. 시트리니 리서치 분석에 따르면, 창신메모리는 2026년 말 월 35만 웨이퍼 생산능력을 갖출 것으로 예상된다. 마이크론의 37만5000과 2만5000 차이다. 2030년까지는 베이징, 허페이, 상하이에 신규 시설을 지어 월 95만 웨이퍼 규모로 키운다는 목표다. 
 중국 정부는 창신메모리의 DRAM 기술을 JHICC, 스웨이슈어, 양쯔메모리 자회사 XMC 등에 이전하도록 압박하고 있다. 스웨이슈어는 선전에 월 14만 웨이퍼 공장을 지었고, JHICC는 진장에 월 12만 웨이퍼 용량의 클린룸을 확보했다. 양쯔메모리도 우한에서 월 5만 웨이퍼 규모의 DRAM 생산을 준비 중이다. 이들이 모두 가동되면 중국의 DRAM 생산능력은 월 60만 웨이퍼에 달한다. 일본, 대만, 미국을 합친 것보다 많다. 
 시트리니는 2030년까지 중국의 DRAM 생산능력이 월 141만 웨이퍼까지 늘어날 것으로 내다봤다. 다만 핵심 제약 요소로 리소그래피 장비 확보를 지적했다. 미국이 추진 중인 MATCH 법안이 첨단 침수 DUV 장비의 중국 판매를 제한할 경우 확장 계획에 차질이 생길 수 있다는 것이다. 
 ■ 86억 달러 IPO의 속내, 장비 생태계 구축 
 창신메모리가 IPO로 조달한 579억2000만 위안(86억 달러) 중 295억 위안은 차세대 DRAM 연구개발과 양산라인 고도화에 쓰인다. 이 중 약 172억 위안이 장비 투자에 배정될 것으로 예상된다. 
 시장은 이번 IPO의 핵심을 단순 자금 조달이 아닌 중국 반도체 장비 생태계 구축으로 본다. 미국의 수출 통제로 해외 장비 도입이 막히자, 중국은 자체 장비 개발에 막대한 자금을 쏟아붓고 있다. 창신메모리의 장비 투자는 중국 내 장비 업체들의 기술 개발을 촉진하는 역할을 한다는 분석이다. 
 Yiyi Capital의 시어도어 쇼 대표는 "이 회사가 글로벌 리더로 성장하는 건 시간 문제"라면서도 "메모리 사업의 높은 마진과 수익성은 사이클에 따라 정상화될 수밖에 없다"고 말했다. 상장 첫날 470% 급등에 대해서는 "이 정도 규모의 기업이 그런 성과를 보이는 건 매우 드문 일"이라며 제한된 유통 물량과 시장 심리가 작용했다고 분석했다. 
 창신메모리는 2026년 1분기 354억3000만 위안의 영업이익을 기록하며 전년 동기 28억3000만 위안 손실에서 흑자 전환했다. 일부 보도에 따르면 DRAM 이익률에서 SK하이닉스와 마이크론을 제쳤다는 분석도 나온다. 저가 전략이 단순한 출혈 경쟁이 아니라 효율적인 생산 체계를 바탕으로 한다는 뜻이다. 
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 ■ 낸드까지 손뻗은 창신메모리, 애플도 테스트 중
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 창신 메모리 IPO의 핵심은 단순 자금 조달이 아닌 중국 반도체 장비 생태계 구축이다. (사진=생성형 AI)
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 창신메모리의 야심은 DRAM에 그치지 않는다. 로이터는 9월 18일 창신메모리가 베이징 신규 공장에 낸드플래시 연구개발 라인을 구축할 계획이라고 보도했다. 베이징에 관련 연구소를 설립하고 AI 시스템과 슈퍼컴퓨터용 낸드플래시 개발 프로젝트를 진행 중이라는 것이다. 
 창신메모리가 DRAM을, 양쯔메모리가 낸드플래시를 맡아 영역을 나눠왔던 중국 반도체 업계의 구도가 흔들리고 있다. 양쯔메모리도 저전력 DRAM 샘플을 고객사에 보내며 DRAM 시장 진출을 검토 중이다. AI 메모리 수요 폭증으로 DRAM, HBM, 낸드플래시 모두 공급이 부족해지자 서로의 영역으로 확장하는 양상이다. 
 HBM은 창신메모리의 다음 목표다. 더 인포메이션은 8월 말 창신메모리가 첨단 HBM을 소량 생산하기 시작했다고 보도했다. 다만 디지타임스는 4월 창신메모리의 HBM3 양산이 2026년 내 불가능할 것으로 전망했다. 낮은 수율과 장비 배치 지연이 원인으로 지목됐다. 당초 로드맵은 2025년 HBM3 양산, 2027년 HBM3E 양산이었지만 일정이 미뤄진 상태다. 
 한편 WSJ과 파이낸셜타임스는 애플이 창신메모리의 DRAM 칩을 테스트하고 있다고 보도했다. 중국에서 판매되는 제품에 탑재하기 위한 것으로, AI 메모리 공급 부족이 배경이다. 애플이 중국산 메모리 칩 채택을 검토한다는 건 그만큼 공급 상황이 심각하다는 방증이기도 하다. 
 ■ AI 메모리 대란이 창신메모리를 키웠다 
 창신메모리의 급성장 배경엔 전례 없는 메모리 공급 부족이 있다. 트렌드포스에 따르면 2026년 2분기 글로벌 DRAM 산업 매출은 전 분기 대비 59.5% 증가해 1547억3000만 달러를 기록했다. 공급 확대 속도가 수요 증가를 따라잡지 못하고 있다. 
 삼성전자는 2분기 매출이 63.4% 증가한 609억8000만 달러로 시장점유율 39.4%를 차지했다. HBM4 조기 양산이 주효했다. SK하이닉스는 HBM 비중이 높아 평균 판매가격(ASP) 상승폭이 제한적이었고, 매출은 37.9% 증가한 385억9000만 달러에 그쳤다. 시장점유율은 24.9%로 소폭 하락했다. 마이크론은 고가 서버용 DRAM에 집중하며 65.5% 증가한 360억 달러 매출을 올려 점유율 23.3%를 기록했다. 
 카운터포인트리서치는 2026년 2분기 DRAM 시장이 전 분기 대비 57%, 전년 동기 대비 385% 성장했다고 집계했다. 수치 차이는 있지만 폭발적 성장세라는 점에서 일치한다. 
 JP모건은 AI 데이터센터 수요가 DRAM 가격을 400% 이상 올릴 것으로 추산했다. 일부 분석에 따르면 2026년 데이터센터가 생산되는 메모리 칩의 70%를 소비한다. RAM 부족 현상은 최소 2029년까지 이어질 전망이다. 
 고성능 HBM 생산에 집중하는 삼성전자와 SK하이닉스가 범용 DRAM 생산라인을 줄이면서, 창신메모리가 그 빈자리를 빠르게 채웠다. WSJ은 창신메모리가 DRAM 칩을 약 138달러에 판매하고 있으며 이는 글로벌 평균보다 낮은 수준이라고 전했다. 
 ■ 범용 DRAM 저가 공세, 한국 반도체의 새 변수 
 삼성전자와 SK하이닉스가 주도해온 메모리 반도체 시장에 균열이 생기고 있다. 창신메모리는 1년 만에 시장 점유율을 두 배 이상 끌어올리며 범용 DRAM 시장에서 저가 공세를 펼치고 있다. 
 반도체 업계 관계자는 "창신메모리 제품이 성능은 떨어지지만 가격 경쟁력으로 시장을 공략하고 있다"며 "한국 기업들이 범용 DRAM에서 얻던 안정적인 수익이 흔들릴 수 있다"고 말했다. 
 다만 고부가가치 제품인 HBM에서는 여전히 한국 기업들이 압도적이다. 골드만삭스는 SK하이닉스가 전체 HBM 시장 점유율 50% 이상을 유지할 것으로 추정했다. 삼성전자도 HBM4 조기 양산으로 경쟁력을 높이고 있다. 
 문제는 범용 DRAM과 HBM의 수익 구조 차이다. HBM은 고마진이지만 생산량이 제한적이고, 범용 DRAM은 마진은 낮지만 물량이 많다. 창신메모리가 범용 시장에서 점유율을 높이면 한국 기업들의 전체 매출에 영향을 줄 수밖에 없다. 
 Yiyi Capital의 쇼 대표는 "메모리 칩 사업은 지속 가능하지만, 지금의 높은 마진은 사이클에 따라 정상화된다"며 "시장이 수요와 공급 불균형의 정점에 있다"고 경고했다. 
 ■ 반도체 굴기의 현실, 자급률 23%에서 27%로 
 창신메모리의 성공은 중국 반도체 굴기의 가시적 성과지만, 전체 그림은 다르다. 테크인사이츠와 닛케이 추산에 따르면 중국의 반도체 자급률은 2023년 23% 수준이며 2027년 27%까지 오를 것으로 예상된다. 2015년 발표된 'Made in China 2025'의 목표가 70%였던 점을 고려하면 절반에도 못 미친다. 
 일렉트로닉스위클리는 중국이 2024년 자급률 33%를 기록했고 2030년까지 80%를 목표로 한다고 보도했다. 다만 이는 중국 정부의 새 계획이며 실현 가능성은 불투명하다. 
 중국 해관총서에 따르면 2026년 상반기 중국의 반도체 칩 수출액은 전년 동기 대비 96% 이상 증가해 1772억8000만 달러를 기록했다. 글로벌 AI 수요가 주요 원인이다. 
 창신메모리의 5세대 DRAM 플랫폼 양산은 중국이 기술 모방 단계를 넘어 독자 혁신으로 나아가고 있다는 신호다. 11.95나노 공정, 디지털 트윈 시스템, LPDDR6 상용화는 모두 그 증거들이다. 
 글로벌 메모리 시장은 지금 전환점을 지나고 있다. 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론의 과점 구조에 창신메모리라는 변수가 등장했고, AI 메모리 대란이 그 변수를 키우고 있다. 한국 반도체 산업은 고부가가치 HBM 중심의 기술 우위를 지키면서도, 범용 DRAM 시장에서 벌어지는 중국의 추격을 경계해야 하는 이중 과제를 안았다. 창신메모리가 던진 이 변곡점이 향후 시장 판도를 어떻게 바꿀지, 업계가 예의주시하고 있다. 
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