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[IT뉴스]삼성전자, 양자컴 메모리도 '수직 적층'…한국·미국 특허 등록

온카뱅크관리자

2026-09-27 16:07:25

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        <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> 
         <section dmcf-sid="93orBgFYsh">
          <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="1d9a0b5e96b3c8caf237a5b9c069e7fb5ca2f9d631319f3dc5ce4be245737169" dmcf-pid="20gmba3GEC" dmcf-ptype="figure">
           <p class="link_figure"><img alt="삼성전자 '양자 컴퓨터의 초전도 큐빗 메모리' 특허 대표도" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202609/27/etimesi/20260927160255579qyoy.png" data-org-width="463" dmcf-mid="Kk02spjJOl" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img1.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202609/27/etimesi/20260927160255579qyoy.png" width="658"></p>
           <figcaption class="txt_caption default_figure">
            삼성전자 '양자 컴퓨터의 초전도 큐빗 메모리' 특허 대표도
           </figcaption>
          </figure>
          <p contents-hash="730b26e397609ee770910c40758c50abf6334d6f88d1824dbdf9cbffbf1be10a" dmcf-pid="VpasKN0HOI" dmcf-ptype="general">삼성전자가 양자컴퓨터의 기억 장치를 칩 바닥에 나란히 깔지 않고, 층층이 쌓는 구조를 연구 중인 것으로 확인됐다. 추후 기술 발전으로 양자컴퓨터 큐빗 수가 늘어날 때 '기억부는 어디에 둘 것인가'를 고려해 먼저 확보해 둔 선행 권리로 해석된다.</p>
          <p contents-hash="c5fec434c749d1d2843185e3f05c892fa176afc70348cd6b34feacac536c6dfc" dmcf-pid="fUNO9jpXOO" dmcf-ptype="general">27일 업계에 따르면 삼성전자가 양자컴퓨터용 초전도 큐빗 메모리를 수평이 아닌 수직으로 쌓는 구조 특허(KR102778201B1)를 등록한 것으로 확인됐다. 미국에서도 동일 계열 특허(US12062826B2, US12381298B2)가 등록됐다.</p>
          <p contents-hash="768d4f745b0b19f1b45878e6b8eb5e5c6fbaf5b60930298e39f67110ec386b4d" dmcf-pid="4Ry3gWMVss" dmcf-ptype="general">양자컴퓨터는 일반 컴퓨터의 비트(0 또는 1)과 달리 큐빗(0과 1이 겹친 상태, 중첩)으로 정보를 다룬다. 매우 낮은 온도에서 전기 저항이 사라지는 성질을 이용한다. 삼성전자가 양자컴퓨팅을 다루는 방식은 이 큐빗을 칩 위 회로 소자로 구현하는 '초전도 회로'다.</p>
          <p contents-hash="62f23b94d17c14ad2885f07d86501f6b25ff040fea67b1d29a41ae59f6094410" dmcf-pid="8eW0aYRfrm" dmcf-ptype="general">기존에는 계산하는 부분(트랜스몬)과, 계산 결과를 잠시 맡아 두는 부분(초전도 공진기) 둘을 칩 바닥에 나란히 깔았다. 방이 옆으로만 늘어나는 것과 같아서, 기억 공간을 늘리려면 칩이 커지고 부품 사이 연결도 약해지며 바깥 잡음에도 쉽게 흔들렸다. 큐빗은 온도·전자기 잡음·진동에도 상태가 흐트러지기 쉽다.</p>
          <p contents-hash="de8308a66cd98ec8c210871753ac27ea39b94c01076e1319d54de0e80ede2b9a" dmcf-pid="6dYpNGe4Or" dmcf-ptype="general">삼성전자의 등록 특허는 기억부를 수직으로 쌓는 방식으로 해법을 마련했다. 기판 위에 얇은 초전도 배선층(공진기)을 올리고 그 위에 전기를 막는 절연층, 다시 그 위에 잡음을 막는 초전도 덮개층을 올린다. 이 세 겹을 여러 단 반복한다. 두께는 배선층·덮개층이 각각 약 50~100나노미터, 절연층이 약 200~600나노미터 수준이다. 홀수 층과 짝수 층은 덮개를 넣는 방향을 서로 반대로 둔다.</p>
          <p contents-hash="14514a2ac9aa2a46ade5c5472dcd0df38986f168d1194f21b4f355b614229825" dmcf-pid="PJGUjHd8Ew" dmcf-ptype="general">이 방식을 활용하면 △같은 면적에 기억을 더 넣을 수 있고 △층과 층이 매우 가까워 서로 잘 맞물리며 △위쪽 덮개가 바깥 전자기파를 막아 신호가 덜 흐트러진다.</p>
          <p contents-hash="067f347072e2293140b7775612de17b4e49223e3cb0511d4a18775263745fc98" dmcf-pid="QiHuAXJ6OD" dmcf-ptype="general">이 해법은 삼성의 본업과도 맞닿아 있다. 낸드를 수직으로 쌓고 HBM을 적층해 용량을 늘려 왔는데 초전도 박막과 절연막, 차폐층을 겹겹이 올리는 그림은 반도체 적층 공정의 연장에 가깝다.</p>
          <p contents-hash="495a957f348a6fb02961075dbadbce49dae975a47a5ef73dacfb70b31bd136d4" dmcf-pid="xnX7cZiPwE" dmcf-ptype="general">앞서 삼성종합기술원(SAIT) 역시 초전도 멀티큐빗 칩과 극저온에서 돌아가는 제어칩을 붙여, 확장 가능한 양자 프로세서를 연구 중이다. 이번 특허는 그 연구 라인에서 “기억은 어떻게 집적할 것인가”에 대한 해법 중 하나에 가깝다.</p>
          <p contents-hash="d404dc126650939209a000a293e7dbe95592099d645f7a40438897cea3b33e05" dmcf-pid="y5JkuiZvDk" dmcf-ptype="general">업계 관계자는 “해당 연구는 완성된 양자컴퓨터를 겨냥한다기 보다, 반도체 공정으로 초전도 큐빗을 얼마나 균일하고 빽빽하게 찍을 수 있는지를 시험하는 선행 연구 단계로 볼 수 있다”고 설명했다.</p>
          <p contents-hash="43fd0f2875ba030a351d69646f38796569beaec17c9f28fb37fad008e2d85c50" dmcf-pid="W1iE7n5TOc" dmcf-ptype="general">이형두 기자 dudu@etnews.com</p>
         </section> 
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